近日，我校理学院物理系青年教师郭道友博士以第一作者在国际知名期刊ACS Nano(IF=13.709)上发表题为《Self-Powered Ultraviolet Photodetector with Superhigh Photoresponsivity (3.05 A/W) Based on the GaN/Sn:Ga2O3 pnJunction》的学术论文。该论文是在p型GaN厚膜上外延生长n型的掺杂Ga2O3薄膜构筑pn结，基于该pn结的自供电紫外探测器在零伏偏压下光响应度为3.05 A/W，是目前报道的最高值。该论文中我校作为第一单位及共同通讯单位。
郭道友博士是我校2010届物理系应用物理专业本科毕业生，在北京邮电大学获得博士学位,毕业后回母校物理系工作。郭道友博士自2016年进校以来一直致力于Ga2O3基异质结的生长及在自供电紫外探测器的应用研究，可用于高保密性的紫外通信、低虚警率的导弹预警跟踪和空间探测等军用领域，以及臭氧层空洞检测、森林火情警报、电网安全监测、海上搜救、生物医疗等民用领域。目前已经发表SCI论文20余篇，包括3篇高被引论文，他引500余次。
论文网络阅读地址：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.8b07997
