报告人：梅增霞 研究员/博士生导师
中科院物理所、松山湖材料实验室
时 间：2021年10月27日(星期三)上午9:00
地 点：理学院3S-408
报告摘要：
宽禁带氧化物半导体因其优异的物理化学性质在电力电子、光电探测、柔性电子等领域展现出了巨大的应用潜力和研究价值。本报告首先介绍团队在以氧化锌、氧化镓、铟镓锌氧为代表的氧化物半导体在柔性电子学核心元器件方面取得的研究进展；报告还将针对新兴超宽带隙材料¾非晶氧化镓在光电探测及类脑神经器件等领域的重要应用前景，介绍团队在材料及器件的点缺陷及界面调控等方面获得的重要研究成果。结合其低温大面积均匀成膜和同质无晶界、成本低廉、可柔性化等优势，非晶氧化镓展现出了其在“巨微电子”领域中的竞争力。同时，报告还将分享在国家自然科学基金申请中的相关经验。
报告人简介：
2005年获中国科学院物理研究所凝聚态物理专业博士学位，随后留所工作；2019年11月起，作为团队负责人，在松山湖材料实验室开展工作。长期从事宽禁带氧化物半导体功能材料和器件应用研究，在材料生长与可控制备、缺陷分析与调控、器件结构与物理等方面积累了丰富的学术经验与独特的工艺技术，取得了若干创新性研究成果。近五年来，共发表SCI论文39篇（通讯作者35篇）；申请国家发明专利30项、授权21项、授权国际专利1项。作为课题负责人，共承担了6项国家自然科学基金项目、1项中科院科技创新基金项目；作为核心科研骨干参加了国家重点基础研究发展计划、国家自然科学基金重点项目、JG预研重点项目等。
